高速铌酸锂薄膜光电子芯片

来源:中国科学院量子信息与量子科技创新研究院发布时间:2024-01-08

报告题目高速铌酸锂薄膜光电子芯片
报告人蔡鑫伦 教授
报告人单位中山大学
报告时间2024-01-11 (周四) 10:00
报告地点上海研究院4号楼329报告厅(合肥物质楼B1102同步视频)
主办单位中国科学院量子信息与量子科技创新研究院
报告介绍

报告摘要:在5G、物联网、虚拟现实、人工智能等新一代信息技术推动下,宽带化浪潮席卷全球,信息容量在过去十年中呈指数增长,光通信网络的带宽和能耗面临着巨大压力。电光调制器是实现信息光电转换的核心器件,也是突破带宽和能耗两大技术挑战的关键一环。大带宽、低功耗、低损耗、小型化的新型电光调制器芯片是全面取代传统铌酸锂晶体器件的变革性技术,是世界各国集中攻关的核心技术之一。本报告主要介绍报告人及所在团队近年来在铌酸锂薄膜电光调制器方面的若干进展。
报告人简介:蔡鑫伦,中山大学教授,本科毕业于华中科技大学,2012年于英国布里斯托尔大学(Bristol University)电子工程系获得博士学位。2014年回国加入中山大学电子信息工程学院,自然科学基金委优秀青年基金,科技部重点研发计划项目负责人。在Science、Nat. Photonics等学术期刊共发表SCI论文70余篇,铌酸锂薄膜调制器的成果三次入选中国光学十大进展。

 

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